该申请人涉及专利文献:26862,涉及专利:17815件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(12702)、H10(1755)、G11(1114)、G03(979)、G06(782)、H03(397)、G01(376)、G02(317)、B81(222)、C23(187)
专利类型分布状况:发明公开(16176)、实用新型(1639)
专利不同法律状态数据分布状况:有效专利(7810)、无效专利(3841)、实质审查(3338)、失效专利(2775)、公开(51)
该领域主要的发明人有:余振华(547)、廖忠志(349)、陈宪伟(201)、庄学理(198)、江国诚(185)、张哲诚(171)、林俊成(118)、林孟汉(112)、蔡俊雄(109)、杨育佳(107)
详细地址:台湾 中国台湾新竹
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 多层结构的下层及使用其的方法 | CN115410989B |
| 发明授权 | 纳米片场效应晶体管器件及其形成方法 | CN114975440B |
| 发明授权 | 半导体器件及其形成方法 | CN116978902B |
| 发明授权 | 半导体结构及其形成方法 | CN115513169B |
| 发明公开 | 封装结构及制造半导体封装结构的方法 | CN122971301A |
| 发明公开 | 半导体结构及其形成方法 | CN122970987A |
| 发明公开 | 半导体器件及其制造方法 | CN122970986A |
| 发明公开 | 半导体器件结构及其形成方法 | CN122970979A |
| 发明公开 | 半导体结构及其形成方法 | CN122970978A |
| 发明公开 | 半导体器件结构及其形成方法 | CN122970976A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 26853 |
| 2 | 中国台湾积体电路制造股份有限公司 | 8 |
| 3 | 中台湾积体电路制造股份有限公司 | 1 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 余振华 | 547 |
| 2 | 廖忠志 | 349 |
| 3 | 陈宪伟 | 201 |
| 4 | 庄学理 | 198 |
| 5 | 江国诚 | 185 |
| 6 | 张哲诚 | 171 |
| 7 | 林俊成 | 118 |
| 8 | 林孟汉 | 112 |
| 9 | 蔡俊雄 | 109 |
| 10 | 杨育佳 | 107 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 10289 |
| 2 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 3189 |
| 3 | 隆天知识产权代理有限公司 | 3150 |
| 4 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 2021 |
| 5 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 1874 |
| 6 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 1236 |
| 7 | 北京德恒律师事务所 | 1233 |
| 8 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 905 |
| 9 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 720 |
| 10 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 545 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 章社杲 | 10352 |
| 2 | 李伟 | 7880 |
| 3 | 徐金国 | 2974 |
| 4 | 孙征 | 2442 |
| 5 | 顾伯兴 | 1483 |
| 6 | 陆鑫 | 1248 |
| 7 | 黄艳 | 1213 |
| 8 | 陈晨 | 1188 |
| 9 | 刘新宇 | 720 |
| 10 | 姜燕 | 704 |
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