上海华虹宏力半导体制造有限公司
该申请人涉及专利文献：8023，涉及专利：4481件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(2737)、G11(446)、H10(427)、H03(290)、G01(248)、G06(234)、G03(168)、G05(108)、B81(91)、H02(78)
专利类型分布状况：发明公开(4454)、实用新型(21)、发明申请(6)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(2306)、无效专利(1114)、实质审查(1019)、公开(21)、失效专利(21)
该领域主要的发明人有：杨光军(299)、李昊(159)、戴若凡(138)、刘张李(120)、陈宏(113)、钱文生(106)、颜树范(102)、王雷(95)、胡剑(94)、于涛(92)
详细地址：中国 上海市 浦东新区 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路 1399号 201203
相关专利文献 (8023件)
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 电压切换电路、存储器及电子设备 | CN122619067A |
| 发明公开 | 分立器件的同测测试方法及系统 | CN122613112A |
| 发明公开 | 半导体器件的形成方法 | CN122602842A |
| 发明公开 | 版图的LEF图形处理方法 | CN122595970A |
| 发明授权 | 一种在半导体制造工艺中锁定污染源的方法 | CN116108683B |
| 发明授权 | 平面栅功率器件及其制造方法 | CN122396026B |
| 发明公开 | 一种振荡信号检测电路和检测方法 | CN122553904A |
| 发明授权 | 改善晶圆表面平整度的推阱方法 | CN116013771B |
| 发明授权 | 电荷泵控制电路和方法 | CN116388557B |
| 发明授权 | 氮化镓器件接触孔的刻蚀方法 | CN116230516B |
近10年该领域专利申请趋势
专利分类情况
IPC分类
核心专利文献
相关企业
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 8029 |
相关发明人
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 杨光军 | 299 |
| 2 | 李昊 | 159 |
| 3 | 戴若凡 | 138 |
| 4 | 刘张李 | 120 |
| 5 | 陈宏 | 113 |
| 6 | 钱文生 | 106 |
| 7 | 颜树范 | 102 |
| 8 | 王雷 | 95 |
| 9 | 胡剑 | 94 |
| 10 | 于涛 | 92 |
相关代理机构
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 4242 |
| 2 | 上海思微知识产权代理事务所 | 2628 |
| 3 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 1051 |
| 4 | 上海信好专利代理事务所 | 105 |
| 5 | 北京市金杜律师事务所 | 2 |
| 6 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 1 |
相关代理人
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 丁纪铁 | 1123 |
| 2 | 郭四华 | 1066 |
| 3 | 屈蘅 | 775 |
| 4 | 戴广志 | 626 |
| 5 | 郑玮 | 588 |
| 6 | 骆苏华 | 579 |
| 7 | 曹廷廷 | 413 |
| 8 | 周耀君 | 402 |
| 9 | 吴敏 | 328 |
| 10 | 刘昌荣 | 279 |
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